一種導(dǎo)模法生長(zhǎng)氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置與生長(zhǎng)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110141979.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112877770A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112877770A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B15/34;C30B29/16 | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 齊紅基;賽青林 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 杭州富加鎵業(yè)科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉芙蓉 |
| 地址 | 311400 浙江省杭州市富陽(yáng)區(qū)春江街道江南路68號(hào)第23幢301室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種導(dǎo)模法生長(zhǎng)氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置與生長(zhǎng)方法，生長(zhǎng)裝置包括：（1）本體，本體包括熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)用于保溫形成熱場(chǎng)，熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)由至少一層保溫層層疊而成，保溫層由若干塊子保溫層拼接而成，所述若干塊為兩塊以上的自然數(shù)；所述熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)的中心沿軸向方向設(shè)置有貫穿上下端面的通孔；（2）密封層，所述密封層設(shè)置在所述本體外圍。本發(fā)明的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)采用了多塊分層、且多塊子母扣拼接的方式，有效的釋放高溫下熱應(yīng)力，避免了不受控開(kāi)裂；本發(fā)明還采用透明且耐高溫材質(zhì)的密封層對(duì)整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行密封，確保了氧化鎵晶體生長(zhǎng)所需的密封低氣體對(duì)流環(huán)境，從而有效抑制氧化鎵晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的揮發(fā)，實(shí)現(xiàn)連續(xù)穩(wěn)定制備高質(zhì)量氧化鎵晶體。 |
