MEMS靜態(tài)存儲器及MEMS可編程器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010618215.1 申請日 -
公開（公告）號 CN102543173B 公開（公告）日 2014-01-08
申請公布號 CN102543173B 申請公布日 2014-01-08
分類號 G11C13/00(2006.01)I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 張鐳;江偉輝;許程凱;唐德明 申請（專利權(quán)）人 張家港麗恒光微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 張家港市高松專利事務所（普通合伙） 代理人 張家港麗恒光微電子科技有限公司;江蘇麗恒微電子有限公司
地址 215613 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)雙龍村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種MEMS靜態(tài)存儲器及MEMS可編程器件，MEMS靜態(tài)存儲器的存儲單元包括三個MEMS開關(guān)器件，所述MEMS開關(guān)器件包括第一端、第二端、第三端和控制端，所述控制端用于控制所述第三端與第一端和第二端中的一個電性導通，其中，第一MEMS開關(guān)器件的第一端和第二端分別輸入邏輯低電平和邏輯高電平；第二MEMS開關(guān)器件的第一端為高阻，第二端連接所述第一MEMS開關(guān)器件的控制端，控制端連接寫字線，第三端連接寫位線；第三MEMS開關(guān)器件的第一端為高阻，第三端連接讀位線，控制端連接讀字線，第二端連接所述第一MEMS開關(guān)器件的第三端。本發(fā)明MEMS靜態(tài)存儲單元的輸出信號完全來自邏輯高、低電平，改善了信號完整性。