制作MEMS慣性傳感器的方法及MEMS慣性傳感器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210126539.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103373698A 公開（公告）日 2013-10-30
申請公布號 CN103373698A 申請公布日 2013-10-30
分類號 B81C1/00(2006.01)I;G01D5/241(2006.01)I 分類 微觀結構技術〔7〕;
發(fā)明人 王志瑋;唐德明;張鐳;毛劍宏;韓鳳芹 申請（專利權）人 張家港麗恒光微電子科技有限公司
代理機構 張家港市高松專利事務所（普通合伙） 代理人 張家港麗恒光微電子科技有限公司;上海麗恒光微電子科技有限公司;麗水玨意芯誠電子科技合伙企業(yè)（有限合伙）;浙江玨芯微電子有限公司
地址 215613 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)雙龍村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種制作MEMS慣性傳感器的方法及MEMS慣性傳感器，包括步驟：在半導體基底上淀積第一碳層作為犧牲層；圖案化第一碳層，形成固定錨栓，慣性錨栓和底部密封環(huán)；形成固定錨栓中的接觸插塞和慣性錨栓中的接觸插塞；在所述第一碳層和固定錨栓、慣性錨栓上形成第一固定電極、慣性電極以及與慣性電極相連的連接電極，所述第一固定電極和慣性電極構成一對電容；在所述第一固定電極和慣性電極上形成第二碳層作為覆蓋層；在所述第二碳層和頂部密封環(huán)上形成頂蓋層。本發(fā)明的慣性傳感器在慣性力的作用下只有慣性電極移動，固定電極不會移動和震動，從而提高了慣性傳感器的精確度。