應(yīng)用于三維片上集成系統(tǒng)的薄膜晶體管的制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201010568989.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN102487087B | 公開(公告)日 | 2014-08-13 |
申請公布號 | CN102487087B | 申請公布日 | 2014-08-13 |
分類號 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王志瑋;唐德明 | 申請(專利權(quán))人 | 張家港麗恒光微電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 張家港市高松專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 張家港麗恒光微電子科技有限公司;上海麗恒光微電子科技有限公司;麗水玨意芯誠電子科技合伙企業(yè)(有限合伙);浙江玨芯微電子有限公司 |
地址 | 215613 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)雙龍村 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于三維片上集成系統(tǒng)的薄膜晶體管及其制造方法,所述薄膜晶體管位于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上,所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:半導(dǎo)體襯底,基于所述半導(dǎo)體襯底形成的半導(dǎo)體器件層,位于所述半導(dǎo)體器件層上的至少一層局部/全局互連金屬層,所述薄膜晶體管包括基于半導(dǎo)體材料在所述互連金屬層上形成的柵極、源電極和漏電極,從而可以降低SOC的成本,增強(qiáng)SOC的功能。 |
