壓力傳感器和慣性傳感器及其形成方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201310508730.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN103708409A | 公開(kāi)(公告)日 | 2014-04-09 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN103708409A | 申請(qǐng)公布日 | 2014-04-09 |
分類號(hào) | B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 分類 | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
發(fā)明人 | 毛劍宏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 張家港麗恒光微電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 張家港市高松專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 張家港麗恒光微電子科技有限公司;上海麗恒光微電子科技有限公司;麗水玨意芯誠(chéng)電子科技合伙企業(yè)(有限合伙);浙江玨芯微電子有限公司 |
地址 | 215612 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)雙龍村張家港麗恒光微電子科技有限公司 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種壓力傳感器和慣性傳感器及其形成方法,形成方法包括:提供具有CMOS控制電路的襯底,襯底包括第一區(qū)和第二區(qū);在第一區(qū)上形成第一犧牲層,在第二區(qū)上形成第二犧牲層;形成頂部電極和第一電極;在頂部電極中形成第一開(kāi)口,通過(guò)第一開(kāi)口去除第一犧牲層;在頂部電極和第一電極上形成質(zhì)量層;質(zhì)量層的材料選用與CMOS控制電路形成工藝兼容的材料;在頂部電極上的質(zhì)量層中形成第二開(kāi)口,形成電容的兩相對(duì)極板、與質(zhì)量塊連接的彈性件,第二開(kāi)口包圍的部分頂部電極作為壓力感應(yīng)區(qū)。本發(fā)明可以將壓力傳感器和慣性傳感器在同一工藝中形成、而且和CMOS工藝兼容。 |
