MEMS非易失存儲器及存儲單元

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010618344.0 申請日 -
公開（公告）號 CN102568573B 公開（公告）日 2014-11-05
申請公布號 CN102568573B 申請公布日 2014-11-05
分類號 G11C16/06(2006.01)I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 張鐳;江偉輝;唐德明 申請（專利權(quán)）人 張家港麗恒光微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 張家港市高松專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫高
地址 215613 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)雙龍村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種MEMS非易失存儲器及存儲單元，所述MEMS非易失存儲器包括：由多個存儲單元構(gòu)成的存儲陣列；行譯碼器，連接所述存儲陣列的行選通線，用于進(jìn)行行譯碼；列譯碼器，連接所述存儲陣列的列選通線，用于進(jìn)行列譯碼；讀寫控制單元，用于對所述存儲陣列中的各位線的讀寫狀態(tài)進(jìn)行控制；所述存儲單元、行譯碼器、列譯碼器和讀寫控制單元的一個或多個中包括至少一個MEMS開關(guān)器件，所述MEMS開關(guān)器件包括：第一端、第二端、第三端和控制端，所述控制端用于控制所述第三端與第一端和第二端中的一個電性導(dǎo)通。本發(fā)明提高了的響應(yīng)速度，降低了編程電壓，延長了使用壽命。