一種采用預(yù)處理籽晶生長碳化硅晶體的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110216502.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113005519B | 公開（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113005519B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
| 分類號(hào) | C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 哈爾濱市偉晨專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 150000黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)哈西大街與學(xué)府四道街交匯處第40棟-1-2層12號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種采用預(yù)處理籽晶生長碳化硅晶體的方法，屬于碳化硅晶體制備技術(shù)領(lǐng)域。為解決現(xiàn)有籽晶預(yù)處理方法不能提供長期穩(wěn)定保護(hù)而使制備的碳化硅晶體產(chǎn)生缺陷的問題，本發(fā)明提供了一種采用預(yù)處理籽晶生長碳化硅晶體的方法，先用氫氟酸浸泡碳化硅籽晶，再將碳化硅籽晶放入100℃去離子水中加熱得到氫鈍化的碳化硅籽晶；在氫鈍化的碳化硅籽晶的生長面覆蓋一層保護(hù)膜，得到預(yù)處理籽晶；最后采用PVT法以所得預(yù)處理籽晶為基礎(chǔ)制備碳化硅晶體。本發(fā)明采用氫鈍化與保護(hù)膜相結(jié)合的預(yù)處理方式，能夠長期維持籽晶表面的低氧雜質(zhì)含量狀態(tài)，解決了氧雜質(zhì)對(duì)半絕緣型碳化硅晶片制備的阻礙，提高了碳化硅晶體的良品率。 |
