一種PVT法生長高質量晶體的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010217926.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111321461B 公開（公告）日 2022-02-08
申請公布號 CN111321461B 申請公布日 2022-02-08
分類號 C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 趙麗麗;袁文博;張勝濤;范國峰 申請（專利權）人 哈爾濱科友半導體產業(yè)裝備與技術研究院有限公司
代理機構 哈爾濱市偉晨專利代理事務所（普通合伙） 代理人 李曉敏
地址 150000黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)哈西大街與學府四道街交匯處第40棟-1-2層12號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種PVT法生長高質量晶體的裝置，屬于氮化鋁或碳化硅晶體生長技術領域。提高原料利用率，保證原料升華的蒸氣中組分比率及壓力，并解決了晶體固定及拆卸的困難，避免了晶體內部應力的產生，得到高質量晶體。包括坩堝體、承托盤、軸、過濾板、坩堝蓋和籽晶托，堝體的上部可拆卸安裝有籽晶托，籽晶托的上部可拆卸安裝有坩堝蓋，過濾板位于坩堝體的內部，承托盤滑動安裝于坩堝體的內部，軸穿過承托盤與過濾板連接；坩堝體包括生長室和粉料室，生長室位于粉料室的上側，生長室內安裝有過濾板，承托盤滑動安裝于粉料室內，粉料室的上部為圓臺形。