一種使用預(yù)處理粉料制備碳化硅晶體的生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110216497.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113026105B 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN113026105B 申請公布日 2022-07-05
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I;C30B28/12（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司
代理機構(gòu) 哈爾濱市偉晨專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 150000黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)哈西大街與學(xué)府四道街交匯處第40棟-1-2層12號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種使用預(yù)處理粉料制備碳化硅晶體的生長方法，屬于碳化硅晶體制備技術(shù)領(lǐng)域。為解決現(xiàn)有碳化硅粉料容易使碳化硅晶體產(chǎn)生缺陷的問題，本發(fā)明提供了一種使用預(yù)處理粉料制備碳化硅晶體的生長方法，先用氫氟酸浸泡碳化硅粉料，再將粉料加入100℃去離子水中加熱得到氫鈍化的碳化硅粉料；將氫鈍化的碳化硅粉料與保護溶劑充分混合，然后旋蒸蒸發(fā)保護溶劑至混合物呈粉狀，得到預(yù)處理粉料；最后采用PVT法以所得預(yù)處理粉料為原料制備碳化硅晶體。采用氫鈍化與有機溶劑包裹保護相結(jié)合的預(yù)處理方式能夠長期維持粉料表面的低氧雜質(zhì)含量狀態(tài)，提高碳化硅晶體的良品率。本發(fā)明制備方法簡單、試劑價格低廉且安全，具有良好的實用價值。