反轉(zhuǎn)銅箔生產(chǎn)工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010414897.8 申請日 -
公開（公告）號 CN111424294A 公開（公告）日 2020-07-17
申請公布號 CN111424294A 申請公布日 2020-07-17
分類號 C25D1/04;C23G1/10;C25F3/02;C25D3/56;C09D183/04;C09D167/00;C09D7/63 分類 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 萬新領(lǐng);高元亨;何宏楊;羅志藝 申請（專利權(quán)）人 惠州聯(lián)合銅箔電子材料有限公司
代理機構(gòu) 廈門原創(chuàng)專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 梁英
地址 516000 廣東省惠州市博羅縣湖鎮(zhèn)鎮(zhèn)羅口順
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種反轉(zhuǎn)銅箔生產(chǎn)工藝，屬于電解銅箔技術(shù)領(lǐng)域，工藝過程包括電解生箔及表面處理，所述表面處理包括：微蝕→酸洗→粗化→水洗→固化→水洗→粗化→水洗→固化→水洗→表面合金化處理→水洗→表面抗氧化處理→水洗→鈍化→在毛面上涂覆抗粘膜→硅烷化處理→干燥，所述涂覆抗粘膜中各組分的組成以及含量為，有機氯硅烷35.5～46wt％、機聚硅氧烷樹脂27.8～33wt％、氨基硅烷12.7～20.1wt％、聚酯樹脂10.2～12.2wt％、酸性白土催化劑2～8.2wt％，所述涂覆抗粘膜的厚度為3μm。采用本發(fā)明生產(chǎn)工藝?？梢栽跍p少銅箔表面的殘銅率同時，保證銅箔表面與蝕刻阻劑的結(jié)合力，并且保證銅箔的延伸率。