一種抗蝕劑下層膜單體和組合物及圖案形成方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910387117.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110054594B | 公開(公告)日 | 2021-07-13 |
申請公布號 | CN110054594B | 申請公布日 | 2021-07-13 |
分類號 | C07D265/16;C07D498/20;C07D265/12;C07D498/04;C07D498/22;C08G61/02;G03F1/56 | 分類 | 有機化學〔2〕; |
發(fā)明人 | 王靜;肖楠 | 申請(專利權(quán))人 | 福建泓光半導體材料有限公司 |
代理機構(gòu) | 廈門市精誠新創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 賴秀華 |
地址 | 363005 福建省漳州市高新區(qū)九湖鎮(zhèn)林前村林前773號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明屬于光刻領(lǐng)域,具體涉及一種抗蝕劑下層膜單體和組合物及圖案形成方法。所述抗蝕劑下層膜組合物含有結(jié)構(gòu)如式(1)所示的抗蝕劑下層膜單體、芳香族聚合物以及溶劑;式(1)中,X為氧原子、硫原子或兩個獨立的氫原子;不同位置的m各自獨立地為0或1;R1和R2各自獨立地為氫、C1?C8的烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基;R3?R6各自獨立地為氫原子、帶有或不帶有雜原子的具有1?10個碳原子的直鏈、支鏈、單環(huán)或多環(huán)的不飽和基團;R3和R4、R5和R6能夠選擇性彼此獨立連接,形成環(huán)狀。本發(fā)明提供的抗蝕劑下層膜組合物具有高耐刻蝕性和耐熱性。 |
