籽晶片及其制備方法、晶硅錠的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911131667.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112899777A 公開（公告）日 2021-06-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112899777A 申請(qǐng)公布日 2021-06-04
分類號(hào) C30B29/06;C30B28/06;C30B33/00;B23K26/364 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 熊震;李煜燚;李飛龍;朱軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 阿特斯光伏電力（洛陽）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 韓曉園
地址 215000 江蘇省蘇州市高新區(qū)鹿山路199號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N籽晶片及其制備方法、晶硅錠的制備方法，所述籽晶片包括單晶硅片、位于所述單晶硅片第一表面的若干誘導(dǎo)槽。本申請(qǐng)將所述籽晶片鋪設(shè)在坩堝底部，通過若干誘導(dǎo)槽代替所述碎硅料誘導(dǎo)長晶，一方面，單晶硅片的投用量遠(yuǎn)小于碎硅料的投用量，提高了硅料整體投入量的產(chǎn)出比例，相對(duì)降低了硅料損耗、降低了成本；另一方面，位于第一表面上的若干誘導(dǎo)槽晶向一致，能夠誘導(dǎo)硅液體定向凝固，并產(chǎn)生大晶粒，從而獲得晶向較好的多晶硅錠或類單晶硅。