一種基于Bi2Se3-石墨烯異質(zhì)結(jié)襯底的傾斜磁隧道結(jié)存儲器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210258731.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114695653A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695653A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L43/10（2006.01）I;H01L43/08（2006.01）I;H01L43/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李善航;王偉;楊睿卿 申請（專利權(quán)）人 南京郵電大學(xué)
代理機構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 -
地址 210046江蘇省南京市棲霞區(qū)文苑路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于Bi2Se3?石墨烯異質(zhì)結(jié)襯底的傾斜磁隧道結(jié)存儲器，所述存儲器的結(jié)構(gòu)由上至下依次包括頂電極、SOT?MTJ和襯底；所述襯底為Bi2Se3?石墨烯異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)；所述SOT?MTJ為層狀結(jié)構(gòu)，從上至下依次包括參考層、隧穿層、重金屬層和自由層，其中，所述參考層和所述自由層均采用CoFeB材料，所述隧穿層采用MgO材料；所述參考層和所述隧穿層之間形成楔形傾斜，所述重金屬層和所述自由層之間形成楔形傾斜。本發(fā)明的存儲器可以通過控制磁易軸稍微偏離z方向，實現(xiàn)電流誘導(dǎo)的無場磁化；通過讀寫分離，實現(xiàn)了無需外部磁場即可讀寫的功能。