應(yīng)用于三維片上集成系統(tǒng)的薄膜晶體管及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010568989.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102487087A 公開（公告）日 2012-06-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN102487087A 申請(qǐng)公布日 2012-06-06
分類號(hào) H01L29/786(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王志瑋;唐德明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 麗水玨意芯誠(chéng)電子科技合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海麗恒光微電子科技有限公司;麗水玨意芯誠(chéng)電子科技合伙企業(yè)（有限合伙）;浙江玨芯微電子有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)龍東大道3000號(hào)5號(hào)樓501B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于三維片上集成系統(tǒng)的薄膜晶體管及其制造方法，所述薄膜晶體管位于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底，基于所述半導(dǎo)體襯底形成的半導(dǎo)體器件層，位于所述半導(dǎo)體器件層上的至少一層局部/全局互連金屬層，所述薄膜晶體管包括基于半導(dǎo)體材料在所述互連金屬層上形成的柵極、源電極和漏電極，從而可以降低SOC的成本，增強(qiáng)SOC的功能。