一種均勻鍍膜的裝置以及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910361919.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111850477A 公開（公告）日 2020-10-30
申請公布號 CN111850477A 申請公布日 2020-10-30
分類號 C23C14/24;C23C14/54 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王正安 申請（專利權(quán)）人 上海祖強(qiáng)能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518066 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號A棟201室(入駐深圳市前海商務(wù)秘書有限公司)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種均勻鍍膜的裝置以及方法，該裝置包括：點(diǎn)蒸發(fā)源陣列、加熱組件、膜層監(jiān)控機(jī)構(gòu)和加熱控制機(jī)構(gòu)；點(diǎn)蒸發(fā)源陣列包括多個(gè)均勻排布的點(diǎn)蒸發(fā)源，在每個(gè)點(diǎn)蒸發(fā)源的外部設(shè)置加熱組件；膜層監(jiān)控機(jī)構(gòu)包括：厚度測量器，用于監(jiān)測基板的膜層厚度，成分分析器，用于監(jiān)測基板的膜層成分，以及與厚度測量器和成分分析器連接的控制器，用于根據(jù)膜層厚度和膜層成分得到各個(gè)點(diǎn)蒸發(fā)源的蒸發(fā)量；加熱控制機(jī)構(gòu)與控制器和加熱組件連接，用于根據(jù)蒸發(fā)量，控制加熱組件對每個(gè)點(diǎn)蒸發(fā)源的加熱輸出功率。本發(fā)明通過設(shè)置多個(gè)均勻排布的點(diǎn)蒸發(fā)源，能夠?qū)崿F(xiàn)大面積的均勻鍍膜，并通過實(shí)時(shí)監(jiān)測數(shù)據(jù)，精確控制蒸發(fā)材料的蒸發(fā)量，提高了蒸發(fā)材料的有效利用率。