焦平面探測(cè)器相連缺陷元的識(shí)別方法與測(cè)試基片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410519307.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104269465B 公開(kāi)（公告）日 2016-12-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN104269465B 申請(qǐng)公布日 2016-12-07
分類(lèi)號(hào) H01L31/18(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 侯治錦;司俊杰;王巍;韓德寬;呂衍秋;王錦春 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 中航凱邁（上海）紅外科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 鄭州睿信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中國(guó)空空導(dǎo)彈研究院
地址 201306 上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)天驕路336號(hào)1幢A206室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及焦平面探測(cè)器相連缺陷元的識(shí)別方法與測(cè)試基片，本發(fā)明提出的相連缺陷元識(shí)別方法，將基片處理為一種特殊的具備兩種透光率的基片，即在同一基片上，形成具有兩種透光率的區(qū)域。對(duì)于正常元，其響應(yīng)電壓與光敏元所對(duì)準(zhǔn)的透光率區(qū)域?qū)?yīng)；對(duì)于相連缺陷元，其響應(yīng)電壓是正常元響應(yīng)電壓的平均值(求和求平均)；從而識(shí)別相鄰缺陷元。方法簡(jiǎn)單易行，效果明顯，具有較大的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。