一種全無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池的缺陷消除方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110523842.5 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113284980A 公開（公告）日 2021-08-20
申請公布號(hào) CN113284980A 申請公布日 2021-08-20
分類號(hào) H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 項(xiàng)天星;彭勇;劉勝康 申請（專利權(quán)）人 中山艾尚智同信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中山市粵捷信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張謙
地址 528437廣東省中山市火炬開發(fā)區(qū)祥興路6號(hào)數(shù)貿(mào)大廈北冀1層102卡
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種全無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池的缺陷消除方法，其中無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池的制備過程主要為：采用化學(xué)浴沉積在玻璃導(dǎo)電基底上沉積電子傳輸層；采用分步熱蒸鍍法將前驅(qū)體薄膜沉積到基底上；將前驅(qū)體薄膜放入馬弗爐中進(jìn)行兩步熱處理得到鈣鈦礦吸光層；采用絲網(wǎng)印刷直接在得到的鈣鈦礦薄膜表面印刷頂電極。本發(fā)明采用兩步熱處理技術(shù)制備熱蒸鍍的無機(jī)鈣鈦礦薄膜，先通過特定溫度使前驅(qū)體薄膜反應(yīng)生成無機(jī)鈣鈦礦，再以一個(gè)較低的溫度進(jìn)行二次熱處理，從而得到致密無孔洞、缺陷密度低的鈣鈦礦薄膜。