一種適用復雜和易損結構的二氧化錫薄膜的空心陰極離子鍍方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110524231.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113265624A 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN113265624A 申請公布日 2021-08-17
分類號 C23C14/32（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 項天星;劉勝康;彭勇 申請（專利權）人 中山艾尚智同信息科技有限公司
代理機構 中山市粵捷信知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 張謙
地址 528437廣東省中山市火炬開發(fā)區(qū)祥興路6號數貿大廈北冀1層102卡
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種適用復雜和易損結構的二氧化錫薄膜的空心陰極離子鍍方法，該方法以固體二氧化錫顆粒作為原料，利用等離子體發(fā)生器發(fā)出的氬氣流經過磁場偏轉打二氧化錫顆粒表面，使其升華并沉積到基底上。本發(fā)明方案無需任何溶劑或者摻雜材料，就可以在硅片或玻璃襯底沉積平整致密、透光優(yōu)異的二氧化錫薄膜，在可見光區(qū)域內的平均透過率接近90%。本方法制備工藝簡單、時間短，能夠實現大面積規(guī)模化制備，在光電探測器、太陽能電池等領域都有良好的應用前景。