陣列基板及其制作方法和顯示面板
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202080014831.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113454783A | 公開(公告)日 | 2021-09-28 |
申請公布號 | CN113454783A | 申請公布日 | 2021-09-28 |
分類號 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2017.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 鐘德鎮(zhèn);蔡志承;鄭會龍;王新剛 | 申請(專利權(quán))人 | 昆山龍騰光電股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 蔡光仟 |
地址 | 215301江蘇省蘇州市昆山開發(fā)區(qū)龍騰路1號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種陣列基板、顯示面板及制作方法。陣列基板包括:基底;設(shè)于基底上的柵極;覆蓋柵極的第一絕緣層;設(shè)于第一絕緣層上的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層,第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層上設(shè)有對應(yīng)柵極的溝道;第二半導(dǎo)體層包括層疊設(shè)置的第一金屬氧化物半導(dǎo)體層和第二金屬氧化物半導(dǎo)體層,第一金屬氧化物半導(dǎo)體層和第二金屬氧化物半導(dǎo)體層均在溝道處斷開,第二金屬氧化物半導(dǎo)體層的氧空位濃度小于第一金屬氧化物半導(dǎo)體層的氧空位濃度;設(shè)于第二半導(dǎo)體層上的源極和漏極,并且源極和漏極均與第二半導(dǎo)體層導(dǎo)電接觸。 |
