陣列基板及制作方法、顯示面板

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110769687.5 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113467145A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號(hào) CN113467145A 申請公布日 2021-10-01
分類號(hào) G02F1/1368（2006.01）I;G02F1/1362（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 鐘德鎮(zhèn);鄒忠飛 申請（專利權(quán)）人 昆山龍騰光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海波拓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡光仟
地址 215301江蘇省蘇州市昆山開發(fā)區(qū)龍騰路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種陣列基板及制作方法、顯示面板，該陣列基板包括：基底；設(shè)于基底上的第一金屬層，第一金屬層包括掃描線和柵極；覆蓋掃描線和柵極的第一絕緣層；設(shè)于第一絕緣層上側(cè)的第一透明金屬氧化物層，第一透明金屬氧化物層包括源極和漏極；設(shè)于第一絕緣層上側(cè)的第二金屬層，第二金屬層包括數(shù)據(jù)線；設(shè)于第一絕緣層上側(cè)的半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層包括連接源極和漏極的有源層；設(shè)于第一絕緣層上側(cè)的像素電極，像素電極與漏極導(dǎo)電連接。通過將源極和漏極采用透明金屬氧化物層制成，透明金屬氧化物的性能比較穩(wěn)定，從而使得源極和漏極不會(huì)向TFT溝道擴(kuò)散離子，提高了TFT的穩(wěn)定性，避免了TFT閾值電壓偏移、遷移率下降以及漏電流增大的問題。