一種Ni2P/rGO用于電磁吸收材料的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011606574.5 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN114698357A 公開(公告)日 2022-07-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN114698357A 申請(qǐng)公布日 2022-07-01
分類號(hào) H05K9/00(2006.01)I 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 潘凱;劉俊;王嵩 申請(qǐng)(專利權(quán))人 黑龍江大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 150080黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)學(xué)府路74號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種Ni2P/rGO用于電磁吸收材料的制備方法,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明解決了傳統(tǒng)的電磁吸收材料造價(jià)昂貴,新興的電磁吸收材料不穩(wěn)定、性能不太好的問題。在一個(gè)50 mL三頸瓶中加入一定量的六水合氯化鎳、十六胺、亞磷酸三苯酯、十八烯和石墨烯;進(jìn)而將步驟一中的混合物在一定溫度下反應(yīng)一定時(shí)間;再將步驟二反應(yīng)完的樣品收集,用正己烷和無水乙醇清洗,室溫下干燥待用作電磁吸收測(cè)試。本發(fā)明成本低廉,制備工藝簡(jiǎn)單。磷化鎳納米粒子在石墨烯片上均勻且分散地生長(zhǎng),生成了Ni2P/rGO復(fù)合材料,將其用作電磁吸收材料具有較高的性能,接近傳統(tǒng)的電磁吸收材料性能,這為替代傳統(tǒng)的電磁吸收材料提供了可能。