一種并行雙片NANDFLASH中物理擦除塊動態(tài)關(guān)聯(lián)的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010118401.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113391755A 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN113391755A 申請公布日 2021-09-14
分類號 G06F3/06（2006.01）I;G06F12/02（2006.01）I;G06F12/10（2016.01）I 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 楊誠 申請（專利權(quán)）人 北京君正集成電路股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京竹辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 聶鵬
地址 100193北京市海淀區(qū)西北旺東路10號院東區(qū)14號樓一層A101-A113
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種并行雙片NAND FLASH中物理擦除塊動態(tài)關(guān)聯(lián)的方法，包括以下步驟：S1在啟動過程中，分別對所有物理擦除塊進(jìn)行掃描，對應(yīng)構(gòu)建兩個鏈表用表a和表b表示，每個鏈表對象至少包含“塊序列號”信息，根據(jù)壞塊信息創(chuàng)建BBT；S2建立邏輯擦除塊和物理擦除塊之間的關(guān)聯(lián)，創(chuàng)建邏輯塊關(guān)聯(lián)表p，表中每個節(jié)點(diǎn)用來描述邏輯擦除塊分別對應(yīng)的兩個NAND FLASH的物理擦除塊的塊序列號；S3如果在使用過程中產(chǎn)生壞塊，標(biāo)記兩片F(xiàn)LASH中的壞塊，當(dāng)兩片F(xiàn)LASH均出現(xiàn)壞塊，且壞塊在表a和表b中非一一對應(yīng)，則對應(yīng)表a中的FLASH的壞塊由對應(yīng)表b中的FLASH壞塊的表a中的好塊去重新對應(yīng)，根據(jù)邏輯擦除塊的塊序列號，更新表a或表b中對應(yīng)的有效標(biāo)志為無效，將表p中對應(yīng)的壞塊替換。