晶圓的切割方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811372068.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN109559983B 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號(hào) CN109559983B 申請公布日 2021-09-03
分類號(hào) H01L21/268（2006.01）I;H01L21/304（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈玨瑋;李榮;羅偉民 申請（專利權(quán)）人 宏茂微電子（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海市嘉華律師事務(wù)所 代理人 黃琮;傅云
地址 201700上海市青浦區(qū)工業(yè)園區(qū)崧澤大道9688號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶圓的切割方法，包括以下步驟，提供晶圓，在晶圓的正面上貼附研磨膠膜層，對貼附有研磨膠膜層的晶圓的背面進(jìn)行研磨，在研磨后的晶圓的背面上貼附膠膜層，并通過膠膜層將研磨后的晶圓固定于晶圓架上，去除晶圓正面上的研磨膠膜層，利用激光沿多條縱向預(yù)切痕和多條橫向預(yù)切痕向晶圓背面進(jìn)行第一切割，利用切割刀具沿各多條縱向第一切割道和多條橫向第一切割道的深度方向?qū)A繼續(xù)切割，且縱向第一切割道的寬度大于縱向第二切割道的寬度，橫向第一切割道的寬度大于橫向第二切割道的寬度。本發(fā)明公開的一種晶圓的切割方法，用于超薄晶圓的切割工藝中，不僅提供了一種超薄晶圓的切割工藝，并且提高了晶圓的切割的良率。