芯片上片方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110225370.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113035720A | 公開(公告)日 | 2021-06-25 |
申請公布號 | CN113035720A | 申請公布日 | 2021-06-25 |
分類號 | H01L21/50;H01L21/683 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 邵滋人;錢杰;李榮 | 申請(專利權)人 | 宏茂微電子(上海)有限公司 |
代理機構 | 上海得民頌知識產權代理有限公司 | 代理人 | 陳開山 |
地址 | 201799 上海市青浦區(qū)工業(yè)園區(qū)崧澤大道9688號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及芯片技術領域,公開了一種芯片上片方法。本發(fā)明的芯片上片方法,包括以下步驟:S100、對晶圓進行切割得到多個芯片,S200、在得到的多個芯片的金屬層面粘貼保護膜,S300、撕除多個芯片的硅片層面的膠膜;S400、抓取移動機構抓取芯片的硅片層面,并使芯片從保護膜上分離,S500、抓取移動機構抓取與保護膜分離的芯片的金屬層面,S600、使芯片的硅片層面貼附到基板上,完成芯片上片。本發(fā)明的芯片上片方法,抓取機構抓取芯片的硅片層面,使芯片與保護膜分離,此時鄰邊芯片的硅片層面朝上,鄰邊芯片的彎曲強度增大,使得鄰邊芯片不易破裂,提高了芯片良率。 |
