晶圓切割工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811340329.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109545678B 公開（公告）日 2021-04-02
申請公布號 CN109545678B 申請公布日 2021-04-02
分類號 B23K26/38(2014.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈玨瑋;李榮 申請（專利權）人 宏茂微電子（上海）有限公司
代理機構 上海市嘉華律師事務所 代理人 黃琮;傅云
地址 201700上海市青浦區(qū)工業(yè)園區(qū)崧澤大道9688號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶圓切割工藝，包括以下步驟：提供晶圓，晶圓的正面刻有縱向割道和橫向割道，在晶圓的正面貼附研磨膠膜，對晶圓的背面進行研磨，使晶圓減薄至預設厚度，在已減薄后的晶圓的背面貼附背面膠膜，將晶圓通過背面膠膜貼設至晶圓架上，晶圓架用于限制晶圓的移動，去除晶圓架上的晶圓的研磨膠膜，在已去除研磨膠膜的晶圓的正面進行激光灼刻，以在晶圓的正面形成多個參考凹槽，多個參考凹槽圍繞形成多邊形區(qū)域，根據(jù)縱向割道和橫向割道對晶圓進行切割，根據(jù)多邊形區(qū)域摘取芯片。本發(fā)明公開的晶圓切割工藝可準確的標記出正面參考點的位置，提高晶圓的切割準確度，避免不合格芯片產(chǎn)品摻雜到合格產(chǎn)品中。??