晶圓切割工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811340329.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN109545678B | 公開（公告）日 | 2021-04-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109545678B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-02 |
| 分類號(hào) | B23K26/38(2014.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 沈玨瑋;李榮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 宏茂微電子（上海）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海市嘉華律師事務(wù)所 | 代理人 | 黃琮;傅云 |
| 地址 | 201700上海市青浦區(qū)工業(yè)園區(qū)崧澤大道9688號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種晶圓切割工藝，包括以下步驟：提供晶圓，晶圓的正面刻有縱向割道和橫向割道，在晶圓的正面貼附研磨膠膜，對(duì)晶圓的背面進(jìn)行研磨，使晶圓減薄至預(yù)設(shè)厚度，在已減薄后的晶圓的背面貼附背面膠膜，將晶圓通過(guò)背面膠膜貼設(shè)至晶圓架上，晶圓架用于限制晶圓的移動(dòng)，去除晶圓架上的晶圓的研磨膠膜，在已去除研磨膠膜的晶圓的正面進(jìn)行激光灼刻，以在晶圓的正面形成多個(gè)參考凹槽，多個(gè)參考凹槽圍繞形成多邊形區(qū)域，根據(jù)縱向割道和橫向割道對(duì)晶圓進(jìn)行切割，根據(jù)多邊形區(qū)域摘取芯片。本發(fā)明公開的晶圓切割工藝可準(zhǔn)確的標(biāo)記出正面參考點(diǎn)的位置，提高晶圓的切割準(zhǔn)確度，避免不合格芯片產(chǎn)品摻雜到合格產(chǎn)品中。?? |
