AlN基紫外發(fā)光二極管的外延片及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111009443.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113707776A 公開（公告）日 2021-11-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN113707776A 申請(qǐng)公布日 2021-11-26
分類號(hào) H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陶章峰;王新;薛聰;王庶民;董建榮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 埃特曼（蘇州）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 趙世發(fā);王鋒
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)若水路388號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種AlN基紫外發(fā)光二極管的外延片及其制作方法。所述外延片包括襯底和依次形成在襯底上的Al1?xGaxN成核層、三維島狀A(yù)lN生長(zhǎng)層、二維恢復(fù)AlN生長(zhǎng)層、n型AlGaN層、多量子阱發(fā)光層和p型層，其中0≤x≤0.1。本發(fā)明提供的紫外發(fā)光二極管的外延片，內(nèi)部應(yīng)力小，位錯(cuò)密度低。