AlN基紫外發(fā)光二極管的外延片及其制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111009443.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113707776A | 公開(公告)日 | 2021-11-26 |
申請公布號 | CN113707776A | 申請公布日 | 2021-11-26 |
分類號 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 陶章峰;王新;薛聰;王庶民;董建榮 | 申請(專利權(quán))人 | 埃特曼(蘇州)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
代理機構(gòu) | 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 趙世發(fā);王鋒 |
地址 | 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)若水路388號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種AlN基紫外發(fā)光二極管的外延片及其制作方法。所述外延片包括襯底和依次形成在襯底上的Al1?xGaxN成核層、三維島狀A(yù)lN生長層、二維恢復(fù)AlN生長層、n型AlGaN層、多量子阱發(fā)光層和p型層,其中0≤x≤0.1。本發(fā)明提供的紫外發(fā)光二極管的外延片,內(nèi)部應(yīng)力小,位錯密度低。 |
