樣品生長裝置、樣品生長方法及分子束外延系統(tǒng)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111053039.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113502535B | 公開（公告）日 | 2021-12-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113502535B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-10 |
| 分類號(hào) | C30B25/12;C30B25/02 | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 楊鋼;薛聰;王庶民;董建榮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 埃特曼（蘇州）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王鋒 |
| 地址 | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)若水路388號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種樣品生長裝置、樣品生長方法及分子束外延系統(tǒng)。所述樣品生長裝置包括真空腔室以及位于真空腔室內(nèi)的旋轉(zhuǎn)部分和傾斜調(diào)節(jié)部分，旋轉(zhuǎn)部分包括旋轉(zhuǎn)臺(tái)、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)和承載于旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)上的基片，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)設(shè)置于旋轉(zhuǎn)臺(tái)上且驅(qū)動(dòng)基片繞旋轉(zhuǎn)臺(tái)周向公轉(zhuǎn)；傾斜調(diào)節(jié)部分包括傾斜調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)及與傾斜調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)相連的分子束源爐，傾斜調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)在基片公轉(zhuǎn)的過程中調(diào)整分子束源爐的傾斜角度，使分子束源爐入射的分子束全覆蓋住不同公轉(zhuǎn)位置處的基片。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)簡單緊湊，成本較低，且裝卸方便，定位精度高，生產(chǎn)多片樣品可通過單個(gè)分子束源爐調(diào)整角度，進(jìn)行噴射位置的改變，很好地保證噴射的均勻性。 |
