樣品生長(zhǎng)裝置、樣品生長(zhǎng)方法及分子束外延系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111053039.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN113502535B 公開(kāi)(公告)日 2021-12-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113502535B 申請(qǐng)公布日 2021-12-10
分類(lèi)號(hào) C30B25/12;C30B25/02 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 楊鋼;薛聰;王庶民;董建榮 申請(qǐng)(專利權(quán))人 埃特曼(蘇州)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 王鋒
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)若水路388號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種樣品生長(zhǎng)裝置、樣品生長(zhǎng)方法及分子束外延系統(tǒng)。所述樣品生長(zhǎng)裝置包括真空腔室以及位于真空腔室內(nèi)的旋轉(zhuǎn)部分和傾斜調(diào)節(jié)部分,旋轉(zhuǎn)部分包括旋轉(zhuǎn)臺(tái)、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)和承載于旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)上的基片,旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)設(shè)置于旋轉(zhuǎn)臺(tái)上且驅(qū)動(dòng)基片繞旋轉(zhuǎn)臺(tái)周向公轉(zhuǎn);傾斜調(diào)節(jié)部分包括傾斜調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)及與傾斜調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)相連的分子束源爐,傾斜調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)在基片公轉(zhuǎn)的過(guò)程中調(diào)整分子束源爐的傾斜角度,使分子束源爐入射的分子束全覆蓋住不同公轉(zhuǎn)位置處的基片。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊,成本較低,且裝卸方便,定位精度高,生產(chǎn)多片樣品可通過(guò)單個(gè)分子束源爐調(diào)整角度,進(jìn)行噴射位置的改變,很好地保證噴射的均勻性。