抑制電磁輻射的小型化超寬帶超材料吸波體結構和應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110533972.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113363728A 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN113363728A 申請公布日 2021-09-07
分類號 H01Q15/00;H01Q17/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李爾平;霍樹云;李燕 申請（專利權）人 海寧利伊電子科技有限公司
代理機構 杭州求是專利事務所有限公司 代理人 林超
地址 314400 浙江省嘉興市海寧市海寧經濟開發(fā)區(qū)雙富路28號D座5樓509室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種抑制電磁輻射的小型化超寬帶超材料吸波體結構和應用。所設計的超材料吸波體單元主要由損耗層、有耗介質層和金屬背板組成，損耗層與金屬背板分別位于有耗介質層上下兩表面；損耗層包括了從內到外同心依次布置的內、中、外環(huán)金屬片；每個環(huán)金屬片的兩個對角處均設有開口，開口大小相同，且開口方向均沿同一對角線方向。本發(fā)明的超材料吸波體單元結構尺寸較小，具有角度穩(wěn)定和極化不敏感的特性，在寬帶范圍內有良好的輻射吸收能力，在不影響原封裝芯片性能的情況下可以明顯降低電磁干擾輻射，結構簡單，易于加工。