一種高性能電磁輻射抑制結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110590255.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113286418A 公開（公告）日 2021-08-20
申請公布號 CN113286418A 申請公布日 2021-08-20
分類號 H05K1/02;H01Q15/00;H01Q17/00 分類 其他類目不包含的電技術;
發(fā)明人 李爾平;雷曉勇;李燕;孫喆 申請（專利權）人 海寧利伊電子科技有限公司
代理機構 杭州求是專利事務所有限公司 代理人 林超
地址 314400 浙江省嘉興市海寧市海寧經濟開發(fā)區(qū)雙富路28號D座5樓509室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高性能電磁輻射抑制結構。在散熱蓋與PCB板之間加入周期排列的超材料吸波體，同時加入石墨烯阻性表面，提高屏蔽效果，實現所需頻段的電磁輻射抑制，超材料吸波體由頂層諧振單元、有耗介質層和全金屬背板構成，超材料吸波體布置在散熱蓋下方，與PCB板之間保持一定的距離，中間空出導熱膠的位置，將石墨烯結構加載到導熱膠上方有效的抑制芯片封裝直接向上的輻射泄漏。本發(fā)明適用于封裝器件的電磁輻射抑制，超材料結構的引入實現了屏蔽結構的小型化與極化不敏感等特性，在工作頻段內具有良好的輻射吸收能力。在芯片、PCB板等封裝設計中具有巨大應用價值。