一種高性能封裝輻射吸收結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110797645.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113451784A 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN113451784A 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01Q17/00（2006.01）I;H01Q15/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李爾平;樊宇迪;李天武 申請（專利權(quán)）人 海寧利伊電子科技有限公司
代理機構(gòu) 杭州求是專利事務所有限公司 代理人 林超
地址 314400浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟開發(fā)區(qū)雙富路28號D座5樓509室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高性能封裝輻射吸收結(jié)構(gòu)。包含多個緊密排列的周期單元結(jié)構(gòu)，每個周期單元結(jié)構(gòu)主要由一個諧振單元、一層有耗介質(zhì)層和一層金屬背板依次層疊構(gòu)成，諧振層與金屬背板分別位于有耗介質(zhì)層的兩側(cè)；所述周期單元結(jié)構(gòu)包括頂層諧振單元、有耗介質(zhì)層和底層金屬背板；諧振單元主要由一層介質(zhì)層和兩層金屬層以及連接兩層金屬層之間的金屬過孔組成，其中兩層金屬層分別貼于介質(zhì)層兩表面；金屬過孔穿過介質(zhì)層將兩層金屬層電連接。本發(fā)明適用于抑制封裝器件在特定頻點輻射的吸收，具有極佳的角度穩(wěn)定性，在設計頻點具有良好的輻射吸收能力，從而增加反射損耗，提升封裝器件EMI收益。