基于頻率選擇表面理論的電阻型高頻輻射吸收體結(jié)構(gòu)及其輻射抑制裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110868245.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113612033A 公開（公告）日 2021-11-05
申請公布號 CN113612033A 申請公布日 2021-11-05
分類號 H01Q17/00（2006.01）I;H01Q15/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李爾平;邢家琦;梁星磊 申請（專利權(quán)）人 海寧利伊電子科技有限公司
代理機構(gòu) 嘉興海創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄭文濤
地址 314400浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟開發(fā)區(qū)雙富路28號D座5樓509室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明旨在于提供一種基于頻率選擇表面理論的電阻型高頻輻射吸收體結(jié)構(gòu)及其輻射抑制裝置，此種吸收體結(jié)構(gòu)可以有效的抑制封裝中吸收體工作頻段的電磁輻射，從而有效的解決芯片封裝中的電磁輻射超標(biāo)的問題。包括呈周期性排布的吸收體單元，每個吸收體單元從下到上依次為底層金屬層、中間介質(zhì)層和上層圖案層，上層圖案層由金屬圖案和貼片電阻組成，金屬圖案與貼片電阻構(gòu)成完整的閉合通路。