一種基于深度強化學習的封裝地過孔打孔分布優(yōu)化方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | 2020109691941 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112270158A | 公開（公告）日 | 2021-01-26 |
| 申請公布號 | CN112270158A | 申請公布日 | 2021-01-26 |
| 分類號 | G06F30/398(2020.01)I; | 分類 | 計算；推算；計數(shù); |
| 發(fā)明人 | 李爾平;顧哲銘 | 申請（專利權）人 | 海寧利伊電子科技有限公司 |
| 代理機構 | 杭州求是專利事務所有限公司 | 代理人 | 林超 |
| 地址 | 314400浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟開發(fā)區(qū)雙富路28號D座5樓509室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種基于深度強化學習的封裝地過孔打孔分布優(yōu)化方法。通過對實際封裝模型的像素分析轉換成高階二元矩陣；通過深度神經(jīng)網(wǎng)絡建立了打孔位置分布到輻射屏蔽性能之間的關系并訓練，獲得預測網(wǎng)絡；通過Double DQN模型的深度強化學習網(wǎng)絡不斷打孔探索，并通過過程二的預測網(wǎng)絡反饋回饋值來訓練深度強化學習網(wǎng)絡，完成最優(yōu)的打孔位置分布。本發(fā)明方法給出的最終優(yōu)化結果較同數(shù)量地過孔的人工打孔設計有顯著的性能和效率提升，并突破了傳統(tǒng)的處理方式，在相關電磁問題的分布式問題中具有較高的遷移性，能給出高性能的優(yōu)化分布方案。?? |
