一種用于MOCVD設(shè)備的硅基托盤及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011425944.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112410762A | 公開（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112410762A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-26 |
| 分類號(hào) | C23C16/458(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 汪洋;余盛杰;劉佳寶;柴攀;萬強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖南德智新材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長(zhǎng)沙朕揚(yáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉向丹 |
| 地址 | 412000湖南省株洲市天元區(qū)中國(guó)動(dòng)力谷自主創(chuàng)新園（研發(fā)中心C棟2樓202號(hào)） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種用于MOCVD設(shè)備的硅基托盤及制備方法，其包括構(gòu)成托盤基材的Si基體和Si基體表面的復(fù)合涂層，所述復(fù)合涂層包括熱解炭過渡層、Si基體與熱解炭過渡層之間界面處的SiC界面層、以及最外層的SiC涂層，所述SiC界面層由熱解炭過渡層與Si基體在界面處發(fā)生反應(yīng)形成。高溫下熱解炭層可與硅基體在界面處通過化學(xué)鍵、強(qiáng)結(jié)合作用形成致密的碳化硅界面層，進(jìn)一步防護(hù)托盤基材，同時(shí)熱解炭層可匹配基體與最外層的熱膨脹系數(shù)差異。復(fù)合涂層中軟質(zhì)C層結(jié)構(gòu)可有效緩解最外層SiC晶體的熱膨脹，以降低涂層內(nèi)的應(yīng)力峰值。?? |
