一種CVD制備碳化硅陶瓷的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911370627.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111018535A | 公開(公告)日 | 2020-04-17 |
申請公布號 | CN111018535A | 申請公布日 | 2020-04-17 |
分類號 | C04B35/573;C04B35/622 | 分類 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
發(fā)明人 | 劉佳寶;汪洋;萬強;柴攀;其他發(fā)明人請求不公開姓名 | 申請(專利權(quán))人 | 湖南德智新材料有限公司 |
代理機構(gòu) | 長沙朕揚知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 湖南德智新材料有限公司 |
地址 | 412007 湖南省株洲市天元區(qū)中國動力谷自主創(chuàng)新園(研發(fā)中心C棟2樓202號) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種CVD制備碳化硅陶瓷的方法,包括以下步驟:(1)用石墨紙將石墨基體包裹起來,只暴露石墨基體的一面;(2)將經(jīng)步驟(1)處理的石墨基體放入管式爐中,通入三氯甲基硅烷、氬氣和氫氣進(jìn)行氣相沉積;(3)除掉石墨基體表面包裹的石墨紙;(4)對步驟(3)后得到的材料進(jìn)行熱處理,得到碳化硅陶瓷塊體。本發(fā)明的制備過程中先用石墨紙將石墨基體包裹起來,只暴露石墨基體的一面,其余各面均采用石墨紙包裹起來,然后進(jìn)行氣相沉積,通過控制沉積的流量和時間,在基體裸露的表面沉積厚厚一層塊狀碳化硅,再去掉石墨紙,并進(jìn)行熱處理去除石墨基體,從而得到塊狀碳化硅陶瓷,使碳化硅陶瓷采用化學(xué)氣相沉積法制備成為可能。 |
