一種用于氫化物氣相外延生長(zhǎng)氮化鎵的蒸發(fā)器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011466005.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112626620A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112626620A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-09 |
| 分類號(hào) | C30B29/40;C30B25/02 | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 余盛杰;汪洋;潘影;劉佳寶;柴攀;萬(wàn)強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖南德智新材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長(zhǎng)沙朕揚(yáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 周孝湖 |
| 地址 | 412000 湖南省株洲市天元區(qū)中國(guó)動(dòng)力谷自主創(chuàng)新園（研發(fā)中心C棟2樓202號(hào)） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于氫化物氣相外延生長(zhǎng)氮化鎵的蒸發(fā)器，包括石墨基材，石墨基材的外表面包覆有硅過(guò)渡層，硅過(guò)渡層的外表面包覆有TaC涂層，TaC涂層由靠近硅過(guò)渡層的一側(cè)至遠(yuǎn)離硅過(guò)渡層的一側(cè)孔隙率逐漸增大。該用于氫化物氣相外延生長(zhǎng)氮化鎵的蒸發(fā)器鎵源的揮發(fā)效率高、蒸發(fā)器石墨基材不易受高溫腐蝕性氣氛侵蝕、使用壽命更長(zhǎng)。 |
