一種直拉法生長太陽能用8吋硅單晶的熱場裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010603178.7 申請日 -
公開（公告）號 CN102011181A 公開（公告）日 2011-04-13
申請公布號 CN102011181A 申請公布日 2011-04-13
分類號 C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王飛;郝俊濤 申請（專利權(quán)）人 神硅新能源有限公司
代理機構(gòu) 北京捷誠信通專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 董琪
地址 325000 浙江省蒼南縣靈溪鎮(zhèn)工業(yè)園區(qū)二期環(huán)城北路以南溫州神硅電子有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種直拉法生長太陽能用8吋硅單晶的熱場裝置，包括：設(shè)于爐體內(nèi)腔中的保溫筒，保溫筒的上端部設(shè)有上石墨大蓋，在上石墨大蓋的上表面設(shè)有用于密封上石墨大蓋與爐壁間間隙的石墨壓環(huán)；上石墨大蓋的中部設(shè)有一通孔，導(dǎo)流筒裝配在通孔內(nèi)，所述導(dǎo)流筒包括內(nèi)筒和外筒，內(nèi)筒成倒圓錐臺形，外筒呈圓柱形，在內(nèi)筒和外筒之間填充有保溫碳氈，內(nèi)筒和外筒的上端向外側(cè)延展形成環(huán)形凸邊，導(dǎo)流筒通過該環(huán)形凸邊嵌裝或卡裝在上石墨大蓋上。本發(fā)明所述的直拉法生長太陽能用8吋硅單晶的熱場裝置，增加了石墨壓環(huán)，改進了導(dǎo)流筒的形狀結(jié)構(gòu)，既不影響固液界面平整度和拉晶速度，又能降低硅單晶中氧碳含量。