一種直拉法生長(zhǎng)太陽(yáng)能用8吋硅單晶的熱場(chǎng)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201020677500.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN201933197U 公開(kāi)（公告）日 2011-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN201933197U 申請(qǐng)公布日 2011-08-17
分類(lèi)號(hào) C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 王飛;郝俊濤 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 神硅新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京捷誠(chéng)信通專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 董琪
地址 325000 浙江省蒼南縣靈溪鎮(zhèn)工業(yè)園區(qū)二期環(huán)城北路以南溫州神硅電子有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種直拉法生長(zhǎng)太陽(yáng)能用8吋硅單晶的熱場(chǎng)裝置，包括：設(shè)于爐體內(nèi)腔中的保溫筒，保溫筒的上端部設(shè)有上石墨大蓋，在上石墨大蓋的上表面設(shè)有用于密封上石墨大蓋與爐壁間間隙的石墨壓環(huán)；上石墨大蓋的中部設(shè)有一通孔，導(dǎo)流筒裝配在通孔內(nèi)，所述導(dǎo)流筒包括內(nèi)筒和外筒，內(nèi)筒成倒圓錐臺(tái)形，外筒呈圓柱形，在內(nèi)筒和外筒之間填充有保溫碳?xì)?，?nèi)筒和外筒的上端向外側(cè)延展形成環(huán)形凸邊，導(dǎo)流筒通過(guò)該環(huán)形凸邊嵌裝或卡裝在上石墨大蓋上。本實(shí)用新型所述的直拉法生長(zhǎng)太陽(yáng)能用8吋硅單晶的熱場(chǎng)裝置，增加了石墨壓環(huán)，改進(jìn)了導(dǎo)流筒的形狀結(jié)構(gòu)，既不影響固液界面平整度和拉晶速度，又能降低硅單晶中氧碳含量。