一種AlSiC/AlSi兩相材料及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910054174.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN110272280A | 公開（公告）日 | 2019-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110272280A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-09-24 |
| 分類號(hào) | C04B35/565;C04B41/85;C04B38/06;C22C1/10;C22C1/02 | 分類 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 發(fā)明人 | 劉昌濤;陳燕 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 西安明科微電子材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市精英專利事務(wù)所 | 代理人 | 西安明科微電子材料有限公司 |
| 地址 | 710000 陜西省西安市航天基地東長(zhǎng)安街888號(hào)2號(hào)樓1層廠房南區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種AlSiC/AlSi兩相材料的制備方法，以及由該制備方法制備的AlSiC/AlSi兩相材料。本發(fā)明先通過使用由所述不同粒徑的碳化硅粉料、氧化鋁、高嶺土、蘇州土形成的粉料制備形成多孔碳化硅陶瓷基體M6，再由含有所述不同粒徑的硅粉的硅蠟漿料M7在陶瓷基體M6的基礎(chǔ)上制備形成硅與碳化硅表層擴(kuò)散相結(jié)合的陶瓷基體M9，最后向陶瓷基體M9中滲透鋁制備形成具有AlSiC和AlSi兩相的復(fù)合材料，該復(fù)合材料結(jié)合鋁碳化硅和鋁硅優(yōu)勢(shì)于一體，導(dǎo)熱率高、膨脹系數(shù)可調(diào)、密度低、強(qiáng)度好。 |
