一種由五重孿晶種子誘導(dǎo)銀納米線及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910228036.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109848437A 公開（公告）日 2019-06-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN109848437A 申請(qǐng)公布日 2019-06-07
分類號(hào) B22F9/24（2006.01）I; B22F1/00（2006.01）I; B82Y40/00（2011.01）I; B82Y30/00（2011.01）I 分類 鑄造；粉末冶金;
發(fā)明人 劉騰蛟; 李鑫; 蘇燕平; 胡源 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京華納高科科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京方安思達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京華納高科科技有限公司
地址 101111 北京市大興區(qū)亦莊經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十四街99號(hào)，匯龍森科技園7號(hào)樓一單元502
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種由五重孿晶種子誘導(dǎo)銀納米線及其制備方法，克服現(xiàn)有多元醇還原法中存在的雜度高、均勻性差的問題。所述方法包括：金鹽、銀鹽在還原性溶劑中爆發(fā)成核，得到五重孿晶晶種，其特征為孿晶界面并非終止于幾何邊界；加入鹵族觸媒、銀鹽，高溫反應(yīng)，獲得高產(chǎn)率的表面具有凸起面或凹陷面亞結(jié)構(gòu)的單分散銀納米線，銀納米線側(cè)面非完全暴露{100}晶面；五重孿晶快速爆發(fā)成核形成均勻的晶種，合成的銀線單分散性好、可控度高。