一種光學(xué)一致透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910689170.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110415865B 公開（公告）日 2020-07-03
申請公布號 CN110415865B 申請公布日 2020-07-03
分類號 H01B5/14;H01B13/00 分類 -
發(fā)明人 劉騰蛟;蘇燕平;李鑫;胡源 申請（專利權(quán)）人 北京華納高科科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京方安思達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京華納高科科技有限公司
地址 101111 北京市大興區(qū)亦莊經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十四街99號，匯龍森科技園7號樓一單元502
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種光學(xué)一致透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法，解決了金屬納米線透明導(dǎo)電薄膜后刻蝕痕明顯、光穩(wěn)定性差、納米材料易被腐蝕和金屬離子遷移的問題。添加折射率可匹配且耐腐蝕性高的納米顆粒、附加光學(xué)補(bǔ)償層、使用帶有防眩層的基底等方式可解決金屬納米線導(dǎo)電薄膜后處理刻蝕痕明顯的問題；通過使用電學(xué)補(bǔ)償層提供一種整版導(dǎo)電的透明導(dǎo)電薄膜，提高其耐腐蝕性；保護(hù)液中加入紫外穩(wěn)定劑提高了導(dǎo)電膜的光穩(wěn)定性；保護(hù)液中的抗氧化劑、樹狀高分子和絡(luò)合劑解決了納米材料易被腐蝕和金屬離子遷移的問題。