車規(guī)級整流芯片的制成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111212869.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114005733A 公開（公告）日 2022-02-01
申請公布號 CN114005733A 申請公布日 2022-02-01
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬奕超 申請（專利權(quán)）人 深圳辰達行電子有限公司
代理機構(gòu) 深圳市創(chuàng)富知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李秀麗
地址 518031廣東省深圳市福田區(qū)梅林街道梅都社區(qū)中康路128號卓越梅林中心廣場（北區(qū)）4號樓1402
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶圓技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及車規(guī)級整流芯片的制成方法，包括如下步驟：預(yù)先提供硅晶片，對硅晶片兩面涂布光刻膠并按照掩模圖形進行曝光，以使硅晶片表面形成鏤空圖形；根據(jù)中曝光的鏤空圖形，使用混合酸對硅晶片表面形成的圖形進行腐蝕，形成圓環(huán)溝槽；通過有機溶劑去除硅晶片表面的膠及其他有機污染物，隨后使用無塵布或無塵棉蘸丙酮輕輕擦洗；本發(fā)明中，通過刻蝕技術(shù)在硅晶片的表面形成圓環(huán)溝槽，使其整流基材的整體無邊角，因此電流在流動的過程中不會出現(xiàn)向邊角集中的情況，避免了現(xiàn)有的車規(guī)級整流芯片由于邊角處電流集中而發(fā)生芯片邊角處被提前擊穿而失效的問題，提高了車規(guī)級整流芯片的抗反向浪涌電流能力差。