一種碳化硅肖特基二極管制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111212878.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114005752A 公開（公告）日 2022-02-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN114005752A 申請(qǐng)公布日 2022-02-01
分類號(hào) H01L21/329（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬奕超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳辰達(dá)行電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市創(chuàng)富知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李秀麗
地址 518031廣東省深圳市福田區(qū)梅林街道梅都社區(qū)中康路128號(hào)卓越梅林中心廣場（北區(qū)）4號(hào)樓1402
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及二極管制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種碳化硅肖特基二極管制造方法，包括如下步驟：預(yù)先提供碳化硅襯底，并在碳化硅襯底的表面上外延形成碳化硅層；利用掩模版刻蝕，以使碳化硅層的表面上注入介質(zhì)層；根據(jù)中刻蝕的碳化硅層區(qū)域注入磷離子，同時(shí)摻雜鋁離子，形成磷離子結(jié)；利用腐蝕液去除介質(zhì)層，同時(shí)在碳化硅的背面噴濺歐姆接觸金屬，并進(jìn)行退火激活，快速退火以形成歐姆接觸；本發(fā)明中，在噴濺肖特基接觸金屬工藝過程中直接達(dá)到了肖特基退火作用，形成良好的肖特基接觸，通過掩模版刻蝕并通過SiO2腐蝕液去除介質(zhì)層，防止了與碳化硅襯底接觸的肖特基接觸金屬表面與溶液接觸而導(dǎo)致的有機(jī)物及顆粒的污染。