單晶高溫合金型殼及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011444962.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112658211A | 公開(公告)日 | 2021-04-16 |
申請公布號 | CN112658211A | 申請公布日 | 2021-04-16 |
分類號 | B22C9/04;B22C9/12;B22C9/22;B22C3/00 | 分類 | 鑄造;粉末冶金; |
發(fā)明人 | 韓鳳奎;燕平;趙京晨 | 申請(專利權(quán))人 | 河北鋼研德凱科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 王煥 |
地址 | 072750 河北省保定市涿州市開發(fā)區(qū)火炬南街 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及熔模精密鑄造型殼技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種單晶高溫合金型殼及其制備方法。單晶高溫合金型殼的制備方法,包括:在蠟型表面進(jìn)行涂掛料漿和撒砂處理,得到型殼模型;將型殼模型脫蠟后進(jìn)行焙燒處理;所述涂掛料漿的方法包括:在蠟型表面涂掛面層料漿、過渡層料漿、背層料漿和封嚴(yán)層料漿;面層料漿包括質(zhì)量比為1﹕(2.2~4)的硅溶膠和剛玉粉;過渡層料漿包括質(zhì)量比為1﹕(2~3.5)的硅溶膠和鋯英粉;背層料漿包括質(zhì)量比為1﹕(2~3.5)的硅溶膠和鋯英粉;封嚴(yán)層料漿包括質(zhì)量比為1﹕(2~3.5)的硅溶膠和鋯英粉。本發(fā)明的制備方法能夠有效控制固溶處理過程葉片再結(jié)晶報廢率。 |
