一種提升封裝能力的OLED結(jié)構(gòu)和制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011571945.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112563438A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112563438A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-26 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王紹華;王健波;吳遠(yuǎn)武;吳迪 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 湖畔光電科技（江蘇）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京勤行知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 尹英 |
| 地址 | 213200江蘇省常州市金壇區(qū)華城中路168號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于顯示領(lǐng)域，提供了一種提升封裝能力的OLED結(jié)構(gòu)，包括從上至下順序?qū)盈B的基底、陽(yáng)極、復(fù)合有機(jī)層、陰極以及封裝層，所述基底與所述陽(yáng)極接觸的一面設(shè)有基底凹凸結(jié)構(gòu)，以上各層基底的凹凸結(jié)構(gòu)的凹凸方向相同。以基底構(gòu)形為出發(fā)點(diǎn)，對(duì)OLED器件進(jìn)行優(yōu)化，凹凸構(gòu)形可顯著降低各膜層的表面應(yīng)力，防止膜層的解體和滑移，使膜層更加穩(wěn)定，增加器件的壽命，提升產(chǎn)品的良率水平；同時(shí)凹凸的表面構(gòu)造，也可降低各有機(jī)層間的波導(dǎo)模式，減少了陰極表面的等離子模式，從而使OLED內(nèi)部產(chǎn)生的光更多的發(fā)射出來(lái)，增大光取出效率。本發(fā)明還提供了一種制備提升封裝能力的OLED結(jié)構(gòu)的方法。?? |
