一種OLED結構及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910777514.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110581225B 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN110581225B 申請公布日 2021-09-07
分類號 H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王紹華;褚天舒;汪燁辰 申請（專利權）人 湖畔光電科技（江蘇）有限公司
代理機構 南京勤行知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 呂波
地址 213200 江蘇省常州市金壇區(qū)華城中路168號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及OLED技術領域，特別是一種OLED結構，包括基底，所述基底沉積一層陽極，所述陽極上依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層構造呈梯形分布，從下至上每層面積逐漸減少；所述電子傳輸層上沉積電子注入層和金屬陰極，所述電子注入層面積大于空穴注入層，金屬陰極面積大于電子注入層；最后在金屬陰極上依次沉積氧化鋁封裝層和氮化硅封裝層。采用上述結構和方法后，本發(fā)明從OLED器件的膜層構造進行優(yōu)化，降低發(fā)光區(qū)Edge部有機膜層段差和坡度，可顯著提高Edge部的金屬陰極膜層均一性，降低膜層間的應力，提升產(chǎn)品的良率水平。