一種OLED結(jié)構(gòu)及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910777514.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110581225B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110581225B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-07 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王紹華;褚天舒;汪燁辰 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 湖畔光電科技（江蘇）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京勤行知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 呂波 |
| 地址 | 213200 江蘇省常州市金壇區(qū)華城中路168號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及OLED技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種OLED結(jié)構(gòu)，包括基底，所述基底沉積一層陽(yáng)極，所述陽(yáng)極上依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層構(gòu)造呈梯形分布，從下至上每層面積逐漸減少；所述電子傳輸層上沉積電子注入層和金屬陰極，所述電子注入層面積大于空穴注入層，金屬陰極面積大于電子注入層；最后在金屬陰極上依次沉積氧化鋁封裝層和氮化硅封裝層。采用上述結(jié)構(gòu)和方法后，本發(fā)明從OLED器件的膜層構(gòu)造進(jìn)行優(yōu)化，降低發(fā)光區(qū)Edge部有機(jī)膜層段差和坡度，可顯著提高Edge部的金屬陰極膜層均一性，降低膜層間的應(yīng)力，提升產(chǎn)品的良率水平。 |
