校準(zhǔn)裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120533462.5 申請日 -
公開（公告）號 CN215297645U 公開（公告）日 2021-12-24
申請公布號 CN215297645U 申請公布日 2021-12-24
分類號 G01R35/00（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 吳瑞仁;砂永登志男;陳卓凡 申請（專利權(quán)）人 北京時代全芯存儲技術(shù)股份有限公司
代理機構(gòu) 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐金國
地址 北京市海淀區(qū)豐豪東路9號院2號樓8層4單元802
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本案揭露一種校準(zhǔn)裝置，是用以校準(zhǔn)記憶體。校準(zhǔn)裝置包含輸入端、第一上拉電路及第一比較器。輸入端用以耦接外部電阻。第一上拉電路耦接于輸入端，并用以接收電源供應(yīng)電壓。第一上拉電路包含多個第一上拉單元，這些第一上拉單元彼此并聯(lián)。第一比較器耦接于輸入端。第一比較器用以接收相應(yīng)于電源供應(yīng)電壓的比例電壓，并輸出第一控制信號至該些第一上拉單元，使得該些第一上拉單元中每一者的電阻值相等于外部電阻的電阻值。本案實施例提供一種校準(zhǔn)裝置，通過校準(zhǔn)裝置對記憶體進行校準(zhǔn)，以使記憶體與外部裝置阻抗匹配，借以改善記憶體輸出的高頻信號產(chǎn)生反射的狀況。