校準(zhǔn)裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110274807.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112881962A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112881962A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-01 |
| 分類號(hào) | G01R35/00 | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 吳瑞仁;砂永登志男;陳卓凡 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 北京時(shí)代全芯存儲(chǔ)技術(shù)股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐金國(guó) |
| 地址 | 223300 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長(zhǎng)江東路601號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本案揭露一種校準(zhǔn)裝置，是用以校準(zhǔn)記憶體。校準(zhǔn)裝置包含輸入端、第一上拉電路及第一比較器。輸入端用以耦接外部電阻。第一上拉電路耦接于輸入端，并用以接收電源供應(yīng)電壓。第一上拉電路包含多個(gè)第一上拉單元，這些第一上拉單元彼此并聯(lián)。第一比較器耦接于輸入端。第一比較器用以接收相應(yīng)于電源供應(yīng)電壓的比例電壓，并輸出第一控制信號(hào)至該些第一上拉單元，使得該些第一上拉單元中每一者的電阻值相等于外部電阻的電阻值。本案實(shí)施例提供一種校準(zhǔn)裝置，通過(guò)校準(zhǔn)裝置對(duì)記憶體進(jìn)行校準(zhǔn)，以使記憶體與外部裝置阻抗匹配，借以改善記憶體輸出的高頻信號(hào)產(chǎn)生反射的狀況。 |
