制造相變化記憶體的方法與相變化記憶體組件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110833924.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113782672A 公開（公告）日 2021-12-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113782672A 申請(qǐng)公布日 2021-12-10
分類號(hào) H01L45/00（2006.01）I;H01L27/24（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 甘東;林仲漢 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京時(shí)代全芯存儲(chǔ)技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐金國(guó)
地址 100094北京市海淀區(qū)豐豪東路9號(hào)院2號(hào)樓8層4單元802
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭露一種制造相變化記憶體的方法與相變化記憶體組件。制造相變化記憶體的方法包含以下操作：形成第一晶圓，其中第一晶圓包含絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；形成一記憶體材料層于絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上；形成第一金屬材料層于記憶體材料層上，以形成第一半導(dǎo)體組件。本發(fā)明具有制程簡(jiǎn)單、低成本的優(yōu)勢(shì)，并可降低制造成本及提升制造良率。