制造相變化記憶體的方法與相變化記憶體組件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110833924.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113782672A 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN113782672A 申請公布日 2021-12-10
分類號 H01L45/00（2006.01）I;H01L27/24（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 甘東;林仲漢 申請（專利權）人 北京時代全芯存儲技術股份有限公司
代理機構 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 徐金國
地址 100094北京市海淀區(qū)豐豪東路9號院2號樓8層4單元802
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭露一種制造相變化記憶體的方法與相變化記憶體組件。制造相變化記憶體的方法包含以下操作：形成第一晶圓，其中第一晶圓包含絕緣體上半導體結構；形成一記憶體材料層于絕緣體上半導體結構上；形成第一金屬材料層于記憶體材料層上，以形成第一半導體組件。本發(fā)明具有制程簡單、低成本的優(yōu)勢，并可降低制造成本及提升制造良率。