聚焦離子束物理氣相沉積裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201511033542.X 申請日 -
公開（公告）號 CN105441894A 公開（公告）日 2016-03-30
申請公布號 CN105441894A 申請公布日 2016-03-30
分類號 C23C14/46(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 孫嵩泉;郭祖華;朱向煒;葛懷慶 申請（專利權）人 蚌埠雷諾真空技術有限公司
代理機構 蚌埠鼎力專利商標事務所有限公司 代理人 張建宏
地址 233010 安徽省蚌埠市東海大道6318號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 聚焦離子束物理氣相沉積裝置，工藝腔與靶材傳動腔及基片傳動腔連通，靶材傳動腔、基片傳動腔分別與裝靶腔及裝片腔連通，工藝腔內(nèi)設有靶托、基片架、掩模板以及具有聚焦模塊的離子源，靶材傳動腔、基片傳動腔內(nèi)分別設有真空機械手裝置，基片傳動腔還與熱處理腔連通。通過將工藝腔，裝靶腔﹑裝片腔﹑靶材傳動腔和基片傳動腔及熱處理腔整合在一起并整體形成真空環(huán)境，可在真空環(huán)境下實現(xiàn)靶材間的更換、及薄膜材料制備的全流程。通過聚焦模塊聚焦后的離子束可集中只轟擊靶材表面，以避免交叉污染，且靶材的尺寸可以減小，減少靶材損耗，提高靶材利用率。還可以避免濺射靶材之間的交叉污染，以及制備裝置內(nèi)非工藝氣體污染源對薄膜鍍膜造成的污染。