高能電子注入式半導(dǎo)體激光器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410209979.3 申請日 -
公開（公告）號 CN105098592A 公開（公告）日 2015-11-25
申請公布號 CN105098592A 申請公布日 2015-11-25
分類號 H01S5/02(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡元學(xué);姜春香 申請（專利權(quán)）人 天津博霆科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 300000 天津市津南區(qū)辛莊鎮(zhèn)商業(yè)街鑫旺里69號1-209室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于儀器設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高能電子注入式半導(dǎo)體激光器，所述套管內(nèi)設(shè)有諧振腔、回氣腔、放電腔，所述回氣腔內(nèi)部設(shè)有儲氣套管，所述儲氣套管上設(shè)有貯氣瓶、鎮(zhèn)氣瓶、氣壓監(jiān)測器，所述貯氣瓶、鎮(zhèn)氣瓶之間設(shè)有電磁真空充氣閥，所述鎮(zhèn)氣瓶、氣壓檢測器之間設(shè)有波紋管，所述氣壓檢測器部分位于所述回氣腔內(nèi)，部分穿過回氣腔位于所述回氣腔外面，所述導(dǎo)體陽極由外及內(nèi)依次為上電極、上光限制層、上波導(dǎo)層、下波導(dǎo)層、下光限制層、背電極層，所述上波導(dǎo)層、下波導(dǎo)層之間設(shè)有有源層，所述下光限制層、背電極層之間設(shè)有襯底，所述上光限制層的截面形狀為脊波導(dǎo)。