高能電子注入式半導(dǎo)體激光器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201410209979.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN105098592A | 公開(公告)日 | 2015-11-25 |
申請公布號 | CN105098592A | 申請公布日 | 2015-11-25 |
分類號 | H01S5/02(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 蔡元學(xué);姜春香 | 申請(專利權(quán))人 | 天津博霆科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 300000 天津市津南區(qū)辛莊鎮(zhèn)商業(yè)街鑫旺里69號1-209室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明屬于儀器設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種高能電子注入式半導(dǎo)體激光器,所述套管內(nèi)設(shè)有諧振腔、回氣腔、放電腔,所述回氣腔內(nèi)部設(shè)有儲氣套管,所述儲氣套管上設(shè)有貯氣瓶、鎮(zhèn)氣瓶、氣壓監(jiān)測器,所述貯氣瓶、鎮(zhèn)氣瓶之間設(shè)有電磁真空充氣閥,所述鎮(zhèn)氣瓶、氣壓檢測器之間設(shè)有波紋管,所述氣壓檢測器部分位于所述回氣腔內(nèi),部分穿過回氣腔位于所述回氣腔外面,所述導(dǎo)體陽極由外及內(nèi)依次為上電極、上光限制層、上波導(dǎo)層、下波導(dǎo)層、下光限制層、背電極層,所述上波導(dǎo)層、下波導(dǎo)層之間設(shè)有有源層,所述下光限制層、背電極層之間設(shè)有襯底,所述上光限制層的截面形狀為脊波導(dǎo)。 |
